内电场加强会增强漂移运动运动，内电场削弱会增强扩散运动。当PN结外加电压后，平衡被破坏，此时将流过电流，具体细节为：正极接在P端，称为正向电压，外电场将多子推向耗尽层，使其变窄，削弱了内电场，使扩散运动加剧。
正确.当有电场作用时,半导体中的载流子将产生定向运动,称为漂移运动.它是在内电场作用下形成的.
由于浓度差产生内电场而少子因为内电场而向对方运动这就叫漂移运动，所以是对的
是。因为扩散运动是多数载流子因浓度上的差异而形成的运动，漂移运动是少数载流子在内电场作用下形成的运动。漂移运动是由于外场的加入（如电场）使粒子受力往特定方向运动。扩散运动。因浓度差而引起载流子从浓度高的区域向浓度。
你好，不考虑热的影响的话，半导体体内的载流子输运是漂移扩散运动，由两项组成 一项是电场作用下的漂移运动，一项是浓度梯度引起的扩散运动，这两个效应同时存在，载流子的整体输运是他俩的综合。在N区或者P区内电场很弱，
运动原因不一样 漂移运动是载流子在外电场的作用下发生的定向运动，而扩散运动是由于浓度分布不均匀导致载流子从浓度高的地方向浓度底的方向的定向运动。作用力不一样 漂移运动的推动力是外电场，扩散运动的推动力则是。
PN结内空间电荷区不仅有少数载流子的漂移运动，也有多数载流子的扩散运动。多数载流子的扩散才形成空间电荷区的电场，所以空间电荷区并非中性区。少数载流子在扩散形成的电场作用下漂移，漂移的结果削弱了扩散形成的电场。如此不断。
电子本来就要沿着电场反方向移动啊
空间电荷区的漂移和扩散运动取决于多种因素，包括电荷的密度、温度、气体的类型和压强、内部和外部电场、磁场等。此外，光照、辐射和宇宙尘埃等环境因素也会对空间电荷区的漂移和扩散运动产生影响。这些因素使得空间电荷区具有。
通常情况下，其他金属导体中电子的漂移速度也约为10－4米／秒这个数量级 金属导电的原因，是其中存在着可以自由移动的电子。在电场的作用下，导体中的自由电子在热运动的基础上，逆着电场方向产生一个附加的定向速度，这个。